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BS870-7-F N沟道,60V,250mA,5Ω@10V
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BS870-7-F N沟道,60V,250mA,5Ω@10V

型号/规格:

BS870-7-F

品牌/商标:

DIODES(美台)

封装形式:

SOT-23

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

盒带编带包装

产品信息

制造商:Diodes Incorporated产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOT-23-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:250 mARds On-漏源导通电阻:5 OhmsVgs th-栅源极阈值电压:1 VVgs - 栅极-源极电压:10 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C配置:SinglePd-功率耗散:300 mW通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:1 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列:BS870 晶体管类型:1 N-Channel 类型:Enhancement Mode Field Effect Transistor 宽度:1.3 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:80 mS 产品类型:MOSFET 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:5 ns 典型接通延迟时间:2 ns 单位重量:8 mgBS870-7-FBS870-7-FBS870-7-FBS870-7-F深圳市三芯半导体有限公司 选择我们-增值服务 1、业内独家365天退换货服务,品质保证 2、工程师提供技术支持,解决后顾担忧 3、付款灵活,可以月结,提供样品。 三芯半导体 专注二三级 晶体管8年信誉保证,代理经销知名品牌美台 NXP 韦尔 ST,意法、FAIRCHI飞兆、FUJITS富士通、INFINE英飞凌、NXP恩智浦半导体、TOSH东芝半导体、SANYO三洋、IR国际整流器公司、VISHAY等产品系列在内销售的有大功率MOS,肖特基,单双向可控硅,稳压IC,IGBT绝缘栅双极晶体管。在华南地区最具实力供应商之一。 产品应用领域包括工业控制领域、家用电器、汽车电子、电光源、新能源、通信、仪器仪表、逆变电焊机等。公司拥有专业的工程师提供技术支持。 公司创立以来视品质之上,真诚服务。以诚信赢天下!