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2N7002WT1G N沟道,60V,310mA
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2N7002WT1G N沟道,60V,310mA

型号/规格:

2N7002WT1G

品牌/商标:

ON(安森美)

封装形式:

SOT-323

环保类别:

无铅环保型

安装方式:

贴片式

包装方式:

盒带编带包装

产品信息

2N7002WT1G2N7002WT1G2N7002WT1G2N7002WT1G

制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-70-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:310 mARds On-漏源导通电阻:1.6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C配置:SinglePd-功率耗散:280 mW通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.85 mm 长度:2.1 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列:2N7002W 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:1.24 mm 商标:ON Semiconductor 下降时间:9 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:9 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:55.8 ns 典型接通延迟时间:12.2 ns 单位重量:6.200 mg制造商:ON Semiconductor产品种类:MOSFETRoHS: 详细信息 技术:Si安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SC-70-3通道数量:1 Channel晶体管极性:N-ChannelVds-漏源极击穿电压:60 VId-连续漏极电流:310 mARds On-漏源导通电阻:1.6 OhmsVgs - 栅极-源极电压:20 V最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 150 C配置:SinglePd-功率耗散:280 mW通道模式:Enhancement封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel高度:0.85 mm 长度:2.1 mm 产品:MOSFET Small Signal 系列:2N7002W 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:1.24 mm 商标:ON Semiconductor 下降时间:9 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:9 ns 工厂包装数量:3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:55.8 ns 典型接通延迟时间:12.2 ns 单位重量:6.200 mg深圳市三芯半导体有限公司 选择我们-增值服务 1、业内独家365天退换货服务,品质保证 2、工程师提供技术支持,解决后顾担忧 3、付款灵活,可以月结,提供样品。 三芯半导体 专注二三级 晶体管8年信誉保证,代理经销知名品牌美台 NXP 韦尔 ST,意法、FAIRCHI飞兆、FUJITS富士通、INFINE英飞凌、NXP恩智浦半导体、TOSH东芝半导体、SANYO三洋、IR国际整流器公司、VISHAY等产品系列在内销售的有大功率MOS,肖特基,单双向可控硅,稳压IC,IGBT绝缘栅双极晶体管。在华南地区最具实力供应商之一。 产品应用领域包括工业控制领域、家用电器、汽车电子、电光源、新能源、通信、仪器仪表、逆变电焊机等。公司拥有专业的工程师提供技术支持。 公司创立以来视品质之上,真诚服务。以诚信赢天下!